【富拓官网】三星电子(SSNLF.US)Q1营收同比增长10%创历史新高，存储业务强势反弹
发布时间：2025-04-30 11:02:43
得益于旗舰手机Galaxy S25系列热销及存储芯片需求复苏，三星电子(SSNLF.US)第一季度营收与营业利润双双超越市场预期。这家韩国科技巨头在半导体周期底部展现韧性，但高端存储芯片领域的竞争格局正经历深刻变化。财报显示，三星Q1营收达79.1万亿韩元(约合554亿美元)，同比增长10%，刷新单季度历史纪录;营业利润6.7万亿韩元，同比增长1.5%，较分析师平均预期高出4.7%。其中，芯片业务营业利润达1.1万亿韩元，环比增长7%，内存业务营收同比接近翻倍，成为核心增长引擎。
该公司解释称，内存业务增长主要受益于服务器用DRAM销售扩张，以及在NAND闪存价格触底背景下满足额外需求。AI服务器需求激增推动高带宽内存(HBM)等高端产品订单增长，但三星坦言，其HBM销售受到美国AI芯片出口管制及新产品迭代过渡期影响，导致部分需求延迟。
行业格局剧变成为最大焦点。Counterpoint数据显示，SK海力士Q1 DRAM市场份额达36%，首次超越三星的34%，这主要得益于其在HBM领域的绝对优势——SK海力士占据全球HBM市场超90%份额，而三星因良率问题推迟HBM3E量产，错失部分AI订单。
三星在财报中承认，存储芯片平均售价下行压力仍存，但预计下半年随着AI服务器需求持续爆发及新客户导入，高附加值产品(如HBM、12层以上NAND)将改善盈利结构。公司计划扩大HBM产能，并加速向1b纳米级DRAM制程过渡。
三星维持全年半导体行业复苏预期，但警告地缘政治与全球经济放缓构成不确定性。公司预计，若贸易摩擦趋缓，下半年业绩改善动能将进一步释放，其中AI服务器相关业务有望贡献超过30%的芯片业务利润增量。
这场由AI引发的存储芯片争夺战，正从技术竞赛转向商业落地的全面比拼。三星能否借HBM3E量产重夺王座，将成为观察半导体行业格局演变的关键指标。
