【富拓官网】小摩：HBM进入第四年上升周期，结构性短缺或延续至2028年

发布时间：2026-01-20 16:25:26

摩根大通发布了一份关于亚太地区存储行业的深度研究报告，聚焦于高带宽存储器(HBM)市场的发展趋势及其对存储行业的深远影响。报告指出，HBM市场自2023年起已进入第四年的上升周期，并预计这种增长态势将延续至2027年。随着人工智能(AI)和高性能计算(HPC)需求的激增，HBM技术的重要性愈发凸显，其在AI资本支出和收入中的占比持续上升，成为推动存储行业增长的关键力量。

报告详细分析了HBM市场的供需状况，预计到2027年，HBM的总可市场(TAM)将以79%的年复合增长率(CAGR)增长，从2024年的基础水平跃升至2027年的高位。这种强劲的市场需求主要得益于H200 GPU和ASIC芯片的需求增长，使得HBM的供需结构在未来几年内将持续紧张。

摩根大通认为，这种结构性短缺将至少延续至2027年，甚至可能延续至2028年，因为需求增长远超供应增长。在此背景下，存储制造商在供应扩张方面保持谨慎，预计至少在2027年之前不会大幅增加产能，这将进一步加剧HBM市场的供应紧张局面。

报告还指出，HBM的价值在AI资本支出中的占比正在逐步上升，这表明HBM在前沿AI模型中的重要性不断提升。随着AI模型竞争的加剧，相关资本支出的增加将为HBM市场带来进一步的上行风险。

摩根大通预计，HBM的平均售价(ASP)将在2027年之前保持增长态势，尤其是在高性能计算领域，HBM4和HBM4E等高端产品的定价权将主要掌握在存储制造商手中。这不仅反映了HBM技术的高门槛，也预示着其在未来几年内的盈利能力将持续增强。

在市场策略方面，摩根大通建议投资者关注所有HBM制造商，尤其是三星电子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK hynix)。报告认为，短期内三星凭借其在HBM4产品上的技术突破和市场策略，有望在HBM市场中获得更高的份额。而从中期到长期来看，SK海力士凭借其在HBM领域的领先地位和HBM4E产品的盈利潜力，将成为更具吸引力的投资标的。

此外，报告还提到，随着HBM技术的不断发展，其在服务器内存中的价值占比也将进一步提升，这将进一步巩固存储行业在未来AI周期中的重要地位。

报告中还对HBM市场的竞争格局进行了深入分析，指出三星电子可能成为HBM4市场份额竞争中的“黑马”。摩根大通预计，三星的HBM4产品有望在2026年获得英伟达(NVDA.US)订单的高份额，这将显著提升其在HBM市场的竞争力。

与此同时，SK海力士和美光(MU.US)也将通过扩大对AMD和ASIC客户的供应，进一步提升其市场份额。报告还指出，随着HBM3E产品的生命周期延长，以及HBM4产品在2027年晚些时候的推出，HBM市场的竞争格局将更加复杂多变。

在价格方面，摩根大通预计2026年HBM市场的价格下降幅度将较为温和，主要得益于服务器D5价格的上涨以及HBM4产品相对于HBM3E产品的30%溢价。报告认为，这种价格结构将有助于维持领先供应商的盈利能力，预计其运营利润率将保持在60%以上。

此外，随着HBM4产品在2026年的市场推广，其价格走势将受到更多关注，尤其是在英伟达提升其针速规格后，HBM4产品的市场需求和价格有望进一步提升。

摩根大通还对存储行业的股价前景进行了分析，认为过去一个月存储行业股价的大幅上涨主要得益于传统存储产品价格的上涨，而非HBM相关因素。然而，随着HBM4产品的市场认可度提高以及需求的增加，HBM相关因素对股价的影响将逐渐显现。

报告指出，未来几个月内，HBM4产品的认证结果和需求状况将成为影响存储行业股价的关键因素，投资者应密切关注这些动态。

总体而言，摩根大通的这份报告为投资者提供了一个全面且深入的视角，以理解HBM技术在存储行业中的重要性及其未来的发展趋势。报告不仅强调了HBM市场在未来几年内的增长潜力，还指出了投资者在不同阶段应关注的重点企业。随着AI和HPC市场的不断发展，HBM技术将成为存储行业的重要增长引擎。